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熱式氣(qì)體質量流量計恒功率法原理(lǐ)講解(jiě)

作者: 色婷婷综合久久久中文字幕儀表 編輯: 色婷婷综合久久久中文字幕小編 來(lái)源: 熱式氣體質量流量計廠家 發布日期: 2020.03.19
信息摘要:
氣體質量流量計可以對氣體(tǐ)的質量流量進行精密測量和控製。它在多個(gè)領域的科研和生產中有(yǒu)著(zhe)重要而廣(guǎng)泛的運用(yòng)本次要介紹(shào)一種熱(rè)式質量流量計,它具有精度…

氣體質量流量(liàng)計可以對氣體的質量流量進行精密測(cè)量和控製。它在多個(gè)領域的科研和生產(chǎn)中有著(zhe)重要而廣泛(fàn)的運用;本次要介紹一種熱式質量流量計,它(tā)具有精度高,重(chóng)複性好(hǎo),響應速度快,軟啟動,穩定可靠,工作壓力範圍寬等特點(diǎn)。操作使用起來方便,可以任意位置安裝,配合流(liú)量顯示(shì)儀或其他流量控製顯示儀使用,相對(duì)其他流(liú)量計(jì)來說,熱式質量流(liú)量計能勝任大流量和高溫介質的測量工作要求。

一、恒功率法

恒功率(lǜ)法(溫度測量法)是以恒定功率為鉑熱電阻提供熱量(liàng),使其加熱到高於氣體的溫度,流體流動帶走鉑熱(rè)電阻表麵一(yī)部分熱量,流量(liàng)越大,溫度降越大,測量隨流體流量変化的溫度,可(kě)以反映氣體流量。有以下(xià)兩種(zhǒng)實現(xiàn)方法:

(1)隻對一隻鉑電阻加熱,由熱擴散(sàn)原理測量溫差

原理:與恒溫差式流量(liàng)計(jì)的結構類似,在測(cè)量管路中同樣加入(rù)兩個金屬鉑電阻,一個為(wéi)用於測量被測流體溫度的測溫電阻,另一個為用於測量被測流體速度的測速電阻。在加熱器上加上(shàng)一個恒定的功率對測(cè)速鉑電阻(zǔ)加熱,流體(tǐ)在靜止時測速鉑電阻和測溫鉑電阻表麵溫度差△T21=Ts2-Ts1 ZUI大,隨著介質的流動,兩個鉑電阻表麵溫度差減小。流體(tǐ)的流量越大,兩隻鉑(bó)電阻的溫差越小。鉑電阻連接在惠斯通(tōng)電橋中,鉑電阻的溫度不同使鉑電阻的電阻呈現不同(tóng)阻值,從而(ér)使(shǐ)電橋不平衡,通過檢測電橋的電壓差來反(fǎn)應流體流量。

熱(rè)式(shì)氣體質量流量計

該恒(héng)功率(lǜ)式質量流量計存在的問題:若(ruò)流(liú)體的密度為p,流速為μ,加熱鉑電阻被(bèi)流(liú)體帶走(zǒu)的熱量(liàng)為Q,測溫鉑電阻和測速鉑電阻的溫度差為△T21,則有關係式:Q/△T21=k1+k2(p・u)k3式(shì)中對於組分一定的流體,k1、k2、k3為常數在橫截當S的管路中,質量流量qm=p・u・S。測量過程中,測速鉑電阻被電流加熱,在熱平衡狀態下,電(diàn)流的加熱功(gōng)率與測速鉑(bó)電阻被帶(dài)走的熱量處於平衡狀態,即Q=I²·Rs2。因此質量流量qm與(yǔ)Q/△T21成一一對應的關係,可表示為:qm=f[I²·R32/△T21]當(dāng)加熱電(diàn)流不變,通過測出流體的溫差△T21計算(suàn)流體的質量流(liú)量時,忽(hū)略了測速鉑電阻Rs2隨溫度的變化,會造成誤(wù)差。

2)對兩隻(zhī)對稱的鉑電阻進行加(jiā)熱,由熱平衡原理計算溫度差。

傳感器的結構是把兩個全(quán)相(xiàng)同的鉑電阻對稱的固定在熱源的兩側,放置在流體中(zhōng)。采用一(yī)個(gè)恒流(liú)源(恒壓源)對熱源加熱,流體流(liú)動使兩個鉑電阻的溫度不同。鉑電阻連(lián)接在惠斯通電橋中,鉑電阻的(de)溫度不(bú)同使鉑(bó)電阻(zǔ)的電阻呈現不同阻值,從而(ér)使電橋不平衡,通過檢測電橋的電壓來反(fǎn)應流體流量。

現從傳熱學角度對該(gāi)傳感器原理作進一(yī)步的分析。假定流體為均勻分布的牛頓型流體,以一維測量為例:如圖1所示,熱源R置於傳感器基片的中心,在其兩邊對稱地放置兩(liǎng)個完全相同的溫度檢測芯片(薄膜式鉑電(diàn)阻)S1和(hé)S2傳感器與流體之間的熱交換主要通過對(duì)流進行,熱源與溫度檢測芯片之間的熱交換可通過傳導和(hé)對流進行。

當流體流速為(wéi)零,即當流體(tǐ)處於靜止狀態時,表麵附近的流線場及主要由此產生的溫度場相對於熱源呈對稱分布(bù)。由於結構上(shàng)的對稱性,通過基片(piàn)熱傳導進行的熱交換相對於熱源始終是對稱的。此時感溫芯片的鉑電阻(zǔ)溫度滿足Ts1=Ts2,即溫差:△T21=Ts2-Ts1=0。當流體流動時(shí),流(liú)體和鉑電阻之間主要(yào)為對流換熱,由(yóu)於局部對流換(huàn)熱係(xì)數的不同,基片(piàn)表麵附近的流線場及相應(yīng)的(de)溫度場相對於中心熱源的分布發生變化(huà),導致傾向性的不對稱分布。根據(jù)熱邊界層理論,可知,此時上遊溫(wēn)度檢測芯(xīn)片表麵冷卻速率高於(yú)下遊(yóu)芯(xīn)片表麵(miàn),即鉑電(diàn)阻S1的換熱係數大於S2是(shì)換(huàn)熱係(xì)數,所以Ts2Ts,溫差溫度差:△T21=Ts2-Ts1>0。且△T2的值隨(suí)流體流速的増大而增大。如果改變流體(tǐ)流向,△T21亦相應改變符號利(lì)用熱(rè)平衡(héng)方程可以計算出因對流引起的芯片表麵的溫度再分布(bù),獲得(dé)溫度差與流速的關係式。

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